在第三代半导体商业化的道路上，日本厂商又添一股力量。
东芝第二代SiC MOSFET于2020年8月量产今年第一季度，东芝宣布将在内部生产功率半导体用SiC外延片，并投资55亿元用于功率器件扩建，包括建设8英寸碳化硅和氮化镓生产线
东芝表示，未来外延器件+外延片+器件的IDM模式将有助于他们抢占铁路，海上风力发电，数据中心，车辆等市场。
▍▍sic的商业化加速本土厂商依靠新能源汽车和光伏赢得入场机会
SiC在高压大功率应用场景下性能优越，适用于600V V以上的高压场景，因此电动车，光伏等热门场景对SiC的需求相当旺盛许多外国公司如Wolfspeed，英飞凌和意法半导体都宣布扩大生产
从竞争格局来看，目前海外领先公司已经实现6英寸规模供货，向8英寸进军国内厂商主要是体积小，向6寸进军
性价比是决定SiC器件大规模使用的关键衬底制备是提高SiC性价比的核心，也是技术壁垒最高的环节
国内碳化硅衬底龙头企业田玉娥先进最近几天宣布签下14亿元大单对此，CICC证券最近几天发布研究报告称，这在一定程度上说明SiC器件的渗透率正在快速提升，产业链各环节的市场规模有望迎来快速增长期另一方面也反映出国内材料企业在N型SiC导电衬底方面的技术实力和产能规模在不断提升SiC产业的落地今年开始呈现明显的加速趋势
CICC表示，在新能源汽车，光伏发电等重点行业终端出货量快速增长，叠加SiC渗透率提升，短期内器件价格下降有限的背景下，SiC器件市场规模有望在2022—2024年迎来三年来最快增速。
该机构分析师进一步表示，虽然国内相关供应商起步较晚，但得益于本土品牌新能源汽车和光伏逆变器市场份额的增加，国内企业获得了进入市场的机会国内SiC器件供应商有望抓住国产化机遇，复制硅基IGBT时代的辉煌，具备产业整合能力的企业竞争优势更大建议关注三安光电，斯达半导体，华润微等上市公司以及一些技术领先的未上市公司
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