众所周知，传统的集成电路技术采用平面电子和空穴晶体管形成互补结构，从而获得高性能的计算能力，但晶体管密度的增加主要是通过减小单位晶体管的尺寸来实现的比如最常见的案例就是半导体行业的高精度尺寸缩减，从14gt10nmgt7nmgt5纳米这样一直按照0.7的放大倍数不断迭代
根据复旦大学微电子学院官方公告，信息科学与工程学院周鹏教授，包文忠研究员，万静研究员团队绕过EUV技术，开发出性能优异的异构CFET技术本站了解到，相关结果已经发表在《自然—电子学》杂志上
简单来说，研究人员创新性地设计了一种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，在相同的工艺节点下，可以将器件的集成密度提高一倍，从而获得优异的电学性能。
官方称，极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下可大幅提高集成密度的三维堆叠互补晶体管技术价值凸显可是，全硅CFET的工艺复杂度高，在复杂的工艺环境下性能恶化严重
据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管是利用成熟的后端技术，在硅基芯片上集成新的二维材料，利用它们高度匹配的物理特性，实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
该技术可以实现晶圆级异构CFET技术与硅相比，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力这项技术将进一步提高芯片的集成密度，满足高计算处理器，高密度存储器和人工智能等应用的发展需求
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